《日刊工業(yè)新聞》12 日報道，日本鎧俠 (Kioxia，原東芝存儲) 計劃在日本巖手縣的北上工廠新建一座3D NAND 閃存廠房，預計投資額將高達2萬億日元（合183.78 億美元），新廠將于 2023 年啟動運營。

鉅亨網(wǎng)指出，在云、 5G 通信等技術(shù)帶動下，內(nèi)存的中長期需求持續(xù)被看好。鎧俠在設備投資方面砸下巨額資金，旨在與業(yè)界龍頭韓國三星以及買下英特爾 NAND 業(yè)務的 SK 海力士抗衡。

鎧俠在北上工廠的全新廠房被稱為“K2”，預計其規(guī)模將是 2020 年上半年展開運營的“K1”廠房的 2 倍。鎧俠已經(jīng)在與 K1 相連的東面及北面約 15 萬平方公尺的土地展開準備工作，目前也正想辦法取得 K1 東南方位土地。

據(jù)悉，未來 K2 廠房使用的生產(chǎn)設備將以鎧俠生產(chǎn)主力的四日市工廠的現(xiàn)有設備為主。在2萬億日元投資中，除K2 廠房及附帶設施的興建費用外，也包含了四日市工廠的設備補充費用。在設備投資方面，鎧俠有可能采取與過去相同的做法，與其合作伙伴西部數(shù)據(jù)共同分擔費用。

K2 廠房將于 2022 年春左右著手興建，預計在 2023 年春完成廠房工程，并于數(shù)個月后展開 3D NAND 閃存的生產(chǎn)。目前鎧俠四日市工廠全新廠房也正在興建當中，工程分為兩期，一期工程預定于2022 年春天完工。

隨著國際形勢不斷變化，包括美國、歐洲等地都在推進半導體自主化進程。日本也意識到半導體制造的重要性，正加速吸引投資與重建國內(nèi)供應鏈。（樂川）