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傳聯(lián)電22nm高壓制程最快明年首季試產(chǎn)驗(yàn)證

  • 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)
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  • 2021-12-14
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據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,聯(lián)電與三星合作開發(fā)的22nm高壓制程最快明年首季開始試產(chǎn)驗(yàn)證,屆時(shí)將為三星代工新的OLED驅(qū)動(dòng)IC。

圖源:經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)

據(jù)悉,聯(lián)電方面證實(shí),22nm高壓制程正因應(yīng)客戶需求開發(fā)中,但無(wú)法透露客戶名稱。臺(tái)媒分析稱目前OLED驅(qū)動(dòng)IC廠商中僅有三星有能力導(dǎo)入聯(lián)電的22nm高壓制程,最快明年第1季開始小量試產(chǎn)驗(yàn)證,初期產(chǎn)能數(shù)千片,之后逐步放大至數(shù)萬(wàn)片。

該報(bào)道指出,聯(lián)電22nm制程與原來(lái)28nm制程相比,能夠縮減10%的晶粒面積,且擁有更佳功率效能比和更強(qiáng)的射頻性能。22nm高壓制程則從原來(lái)可支持的1.8V/3.3V/5V/8V提高至最大到10V/18V。

(Yuki)

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