索尼全球首發(fā)雙層晶體管堆疊式 CIS 技術(shù)
12 月 16 日訊，今天索尼半導體解決方案宣布其已成功開發(fā)出全球首個雙層晶體管像素堆疊式 CIS 技術(shù)。
和傳統(tǒng) CIS 光電二極管和像素晶體管分布在同一基片不同，索尼半導體開發(fā)的新技術(shù)讓光電二極管分別置于不同的基片層。
新技術(shù)不僅使得獨立優(yōu)化光電二極管和像素晶體管架構(gòu)成為了可能，從而使飽和信號量相較傳統(tǒng)圖像傳感器增加約一倍，同時還能增加放大晶體管的尺寸，從而大幅降低在昏暗場景下的噪點問題。
（holly）
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