據(jù)DIGITIMES報(bào)道，有報(bào)道稱，三星電子的3nm GAA工藝良率仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于其目標(biāo)。

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根據(jù)一份報(bào)道，三星正在努力提高其3nm GAA工藝良率，該工藝良率剛剛達(dá)到10%至20%之間。三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意，僅為30%-35%。

市場消息人士認(rèn)為，三星第一代3nm GAA工藝將首先用于三星自研芯片的制造，該工藝不太可能被外部客戶采用。但該消息人士稱，三星的第二代3nm工藝將為外部客戶的芯片設(shè)計(jì)做好準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)明年開始量產(chǎn)。

該消息人士指出，臺(tái)積電在轉(zhuǎn)向GAA晶體管技術(shù)時(shí)是否會(huì)面臨良率問題還有待觀察。臺(tái)積電極有可能擁有基于GAA的2nm，目標(biāo)是在2025年投產(chǎn)。（隱德萊希）