傳三星擬下半年開始3納米工藝試產
據韓媒報道，三星位于平澤的P3工廠建設傳出新進展，預計將于今年夏天安裝生產設備，下半年開始第一代3納米工藝（3GAE）的試生產
韓媒稱，三星電子的3納米工藝采用環柵 (GAA) 技術，又分為第一代3GAE和第二代3GAP。在3GAE工藝下，相比7納米FinFET，功耗降低50%，芯片面積減少45%，性能可提升35%。（樂川）
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- 編輯：馬可
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